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国产新型嵌入式相变存储器芯片亮相中国国际工业博览会

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上传时间:2018-09-19 22:14:39
图片说明:2018年9月19日,工作人员在展示40nm级12英寸新型相变存储器芯片的晶园。

总说明: 2018年9月19日,国产新型嵌入式相变存储器芯片亮相在上海举办的中国国际工业博览会。据了解,国产新型嵌入式相变存储器芯片基于上海微系统与信息技术研究所科研团队研发的低功耗、长寿命、高稳定性与高速的钪(Sc)—Sb—Te相变存储材料制成,目前40nm(纳米)的PCRAM存储器芯片的单元成品率达99.99%以上,4Mb、64Mb不加修正的存储器芯片在先进信息系统上实现试用。同时新型嵌入式相变存储器芯片比传统读取速率存储芯片快千倍。

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