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2022-05-30 17:59:32
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2022年5月30日,科研人员在浙江大学杭州国际科创中心查看直径2英寸(50.8mm)的氧化镓晶圆。
总说明:
近日,浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院成功制备直径2英寸(50.8mm)的新一代半导体材料氧化镓晶圆。使用氧化镓制作的半导体器件可以实现更耐高压、更小体积、更低损耗,在新能源汽车、轨道交通、可再生能源发电等领域降低能源消耗方面前景无限。 据介绍,采用新技术路线生长的氧化镓晶圆有两个显著优势:一是使用这种方法生长出的氧化镓晶圆的晶面具有特异性,使得制作的功率器件具有较好的性能;二是由于采用了熔体法新路线,减少了贵金属铱的使用,使得氧化镓生长过程不仅更简单可控,成本也更低,具有更大的产业化前景。 经检测,浙江大学杭州国际科创中心采用新技术路线研制出的这批氧化镓晶圆的导电类型为半绝缘型,直径尺寸达到50.8±0.5mm,表面粗糙度小于0.5nm,光学透过率良好,高分辨X射线摇摆曲线测试半高宽小于100弧秒,衍射峰均匀对称,单晶质量较好,关键技术指标已达领域内的先进水平。目前使用这种具有完全自主知识产权技术生长的2英寸氧化镓晶圆在国际尚属首次。